印制板及其组件(PCB&PCBA)是电子产品的核心部件,PCB&PCBA的可靠性直接决定了电子产品的可靠性。为了保证和提高电子产品的质量和可靠性,对失效进行全面的理化分析,确认失效的内在机理,从而有针对性地提出改善措施。
电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象,分辨其失效模式和失效机理,确认最终的失效原因,提出改进设计和制造工艺的建议,防止失效的重复出现,提高元器件可靠性。
集成电路复杂度与性能要求的持续攀升,叠加设计、制造、封装及应用环节的潜在风险,导致短路、开路、漏电、烧毁、参数漂移等关键失效模式频发。这不仅造成昂贵的器件报废与系统宕机,更常引发设计方、代工厂、封测厂与终端用户间的责任争议,带来重大经济损失与信誉风险。
高分子材料性能要求持续提升,而客户对高要求产品及工艺的理解差异,导致断裂、开裂、腐蚀、变色等典型失效频发,常引发供应商与用户间的责任纠纷及重大经济损失。
金属构件服役环境日益苛刻,对材料性能和结构可靠性提出更高要求。然而,设计缺陷、材料瑕疵、制造偏差或不当使用等因素,极易引发疲劳断裂、应力腐蚀开裂、氢脆、蠕变、磨损、过载变形等典型失效。
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电池保护板烧毁:过压还是腐蚀?——PCBA失效分析

发布时间: 2026-03-17 00:00
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某公司生产的电池保护板PCBA,在SMT贴片及PCB生产后测试全部通过,组装电芯后功能验证也一切正常。然而,产品交付客户使用1-2个月后,陆续出现P+、P-铜皮烧毁的失效现象。

产线测试(ICT、FCT、AOI、老化)全部正常,为何到了客户手中却频频烧毁?是过压击穿,还是工艺隐患?如何从一片烧毁的PCBA中找到根本原因?

本文将通过系统的失效分析流程,从外观检查到微观成分分析,逐步排查问题根源,并提出切实可行的改进方案。


1.外观检查:烧毁位置高度一致

  • NG样品PCBA底面P+、P-铜皮间均有明显烧毁痕迹,正面边缘虽有轻微刮伤,但无元件烧毁、连锡等异常;OK样品对应位置完好。

NG样品和OK样品 PCBA外观对比检查形貌

NG样品和OK样品 PCBA外观对比检查形貌

烧毁形貌呈现典型的过压或漏电打火特征,且NG样品烧毁点完全相同,说明问题集中在P+/P-区域,而非随机故障。


2.X-ray检查:内层完好,烧毁仅限表层

  • X-ray透视显示,烧毁仅发生在PCBA表层P+、P-铜皮之间,内层线路、元件内部均无异常。

NG样品X-ray对比检查形貌
NG样品X-ray对比检查形貌

NG样品X-ray对比检查形貌

排除了内层短路或元件内部击穿的可能,进一步确认失效为表层局部问题。


3.在板阻值检测:P+/P-两端阻值异常偏低

  • 用万用表测量发现:NG样品(NG1、NG2)的C3(P+、P-)两端阻值分别仅为7.7Ω和33.6Ω,而OK样品为无穷大;同时,T2(U3_pin2-pin3)两端阻值也明显偏低。

NG样品(NG1、NG2)、OK样品在板元件阻值检测

NG样品(NG1、NG2)、OK样品在板元件阻值检测

NG样品(NG1、NG2)、OK样品在板元件阻值检测

NG样品(NG1、NG2)、OK样品在板元件阻值检测

初步怀疑U3及T2存在击穿,或P+/P-间漏电。但R3、U2等元件阻值正常,排除了过流烧毁的可能。


4.电路参数检测:后级P+/P-无输出

  • 上电3.7VDC后,NG样品(NG1、NG2)的P+、P-输出电压几乎为0V,而OK样品正常输出3.6V;前级B+、B-电路波形正常。

NG样品(NG1、NG2)、OK样品电路参数检测
NG样品(NG1、NG2)、OK样品电路参数检测

NG样品(NG1、NG2)、OK样品电路参数检测

问题锁定在后级P+、P-电路部分,前级电路功能完好,故障点进一步缩小。


5.功能验证:P+/P-端存在短路漏电

  • 在B+、B-接入3.7V,P+、P-接入5V模拟充电状态下,NG样品的P+、P-端电压被拉低,电流迅速达到限流值101mA(实际无限制时会更大),而OK样品充电正常。

NG样品、OK样品B+、B-端接3.7VDC,P+、P-端接入5VDC后功能验证检测
NG样品、OK样品B+、B-端接3.7VDC,P+、P-端接入5VDC后功能验证检测

NG样品、OK样品B+、B-端接3.7VDC,P+、P-端接入5VDC后功能验证检测

说明失效样品的P+、P-端存在明显短路或漏电,导致无法正常充电,且大电流会引起局部发热。


6.半导体特性曲线检测:元件完好,排除过压击穿

  • 将T2、U3等元件解焊后进行I-V曲线测试,发现所有元件特性正常,无击穿、漏电现象。

NG样品、OK样品T2、U3元件半导体特性曲线检测

NG样品、OK样品T2、U3元件半导体特性曲线检测

(备注:蓝色线为OK样品半导体特性曲线,红色线为NG样品半导体特性曲线)

过压导致元件损坏的可能性被排除,漏电来源直指PCBA本身——即P+、P-铜皮间。


7.模拟漏电检测:P+/P-间绝缘电阻仅个位数欧姆

将PCBA上所有元件拆除后,单独对P+、P-两端进行漏电测试:

  • 万用表:NG样品(NG1、NG2)分别为8.2Ω和29.1Ω,OK样品为无穷大;

  • 漏电流测试仪:NG样品(NG1、NG2)无法充电,OK样品绝缘电阻高达7.977GΩ;

  • 供电测试:3.8V供电下,NG样品(NG1、NG2)漏电流超过50mA(无限流时会更大),OK样品为0mA。

NG样品(NG1、NG2)、OK样品模拟漏电检测结果

NG样品(NG1、NG2)、OK样品模拟漏电检测结果

解释:P+、P-间确实存在严重漏电,且漏电点就在烧毁位置。


8.Thermal EMMI红外热点定位:热点就在烧毁处

  • 3.8V/4mA注入P+、P-两端,红外热像仪清晰捕捉到NG样品烧毁位置出现红色热点,OK样品无热点。

NG样品、OK样品 Thermal EMMI红外热点定位分析
NG样品、OK样品 Thermal EMMI红外热点定位分析

NG样品、OK样品 Thermal EMMI红外热点定位分析

漏电位置与烧毁位置完全重合,进一步确认漏电是烧毁的直接原因。


9.微观分析+成分分析:氯元素现身,腐蚀是元凶

  • SEM观察烧毁点局部焦黑,未向四周扩散,符合漏电打火特征。

NG1样品烧毁部位微观分析形貌

NG1样品烧毁部位微观分析形貌

  • EDS成分分析在烧毁点及周边检出Cl(氯)元素,而正常区域无氯。

NG样品成分分析结果

NG样品成分分析结果

氯在潮湿环境下可生成盐酸(HCl),腐蚀铜皮形成导电通道,导致P+、P-间绝缘下降,最终在电池接入后发生漏电打火烧毁。

切片分析:内层无异常,排除异物刺穿

  • 切片观察显示烧毁仅发生在表层P+、P-铜皮之间,内层铜厚均匀、无空洞、无异物刺穿。

NG样品烧毁位置切片分析形貌
NG样品烧毁位置切片分析形貌
NG样品烧毁位置切片分析形貌

NG样品烧毁位置切片分析形貌

确认烧毁原因为表层腐蚀漏电,而非内层制造缺陷。


根本原因:

NG样品PCBA上P+、P-铜皮间烧毁的根本原因是氯元素污染引起的电化学腐蚀,导致铜皮间绝缘下降,在电池接入后形成漏电通道,最终发生打火烧毁。

改进建议:

  1. 加强PCB清洗工艺:确保助焊剂残留、手指接触污染等引入的氯离子被彻底清除。

  2. 控制生产环境:避免含氯物质(如某些清洗剂、汗液、包装材料)接触PCB。

  3. 增加三防漆涂覆:在P+、P-等高压差区域加强绝缘保护。

  4. 优化PCB设计:适当增加P+、P-铜皮间距,降低漏电风险。

  5. 引入可靠性筛选:如高温高湿老化测试,提前暴露潜在腐蚀漏电隐患。

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