







产线测试(ICT、FCT、AOI、老化)全部正常,为何到了客户手中却频频烧毁?是过压击穿,还是工艺隐患?如何从一片烧毁的PCBA中找到根本原因? 本文将通过系统的失效分析流程,从外观检查到微观成分分析,逐步排查问题根源,并提出切实可行的改进方案。 1.外观检查:烧毁位置高度一致 NG样品PCBA底面P+、P-铜皮间均有明显烧毁痕迹,正面边缘虽有轻微刮伤,但无元件烧毁、连锡等异常;OK样品对应位置完好。 NG样品和OK样品 PCBA外观对比检查形貌 烧毁形貌呈现典型的过压或漏电打火特征,且NG样品烧毁点完全相同,说明问题集中在P+/P-区域,而非随机故障。 2.X-ray检查:内层完好,烧毁仅限表层 X-ray透视显示,烧毁仅发生在PCBA表层P+、P-铜皮之间,内层线路、元件内部均无异常。 NG样品X-ray对比检查形貌 排除了内层短路或元件内部击穿的可能,进一步确认失效为表层局部问题。 3.在板阻值检测:P+/P-两端阻值异常偏低 用万用表测量发现:NG样品(NG1、NG2)的C3(P+、P-)两端阻值分别仅为7.7Ω和33.6Ω,而OK样品为无穷大;同时,T2(U3_pin2-pin3)两端阻值也明显偏低。 NG样品(NG1、NG2)、OK样品在板元件阻值检测 初步怀疑U3及T2存在击穿,或P+/P-间漏电。但R3、U2等元件阻值正常,排除了过流烧毁的可能。 4.电路参数检测:后级P+/P-无输出 上电3.7VDC后,NG样品(NG1、NG2)的P+、P-输出电压几乎为0V,而OK样品正常输出3.6V;前级B+、B-电路波形正常。 NG样品(NG1、NG2)、OK样品电路参数检测 问题锁定在后级P+、P-电路部分,前级电路功能完好,故障点进一步缩小。 5.功能验证:P+/P-端存在短路漏电 在B+、B-接入3.7V,P+、P-接入5V模拟充电状态下,NG样品的P+、P-端电压被拉低,电流迅速达到限流值101mA(实际无限制时会更大),而OK样品充电正常。 NG样品、OK样品B+、B-端接3.7VDC,P+、P-端接入5VDC后功能验证检测 说明失效样品的P+、P-端存在明显短路或漏电,导致无法正常充电,且大电流会引起局部发热。 6.半导体特性曲线检测:元件完好,排除过压击穿 将T2、U3等元件解焊后进行I-V曲线测试,发现所有元件特性正常,无击穿、漏电现象。 NG样品、OK样品T2、U3元件半导体特性曲线检测 (备注:蓝色线为OK样品半导体特性曲线,红色线为NG样品半导体特性曲线) 过压导致元件损坏的可能性被排除,漏电来源直指PCBA本身——即P+、P-铜皮间。 7.模拟漏电检测:P+/P-间绝缘电阻仅个位数欧姆 将PCBA上所有元件拆除后,单独对P+、P-两端进行漏电测试: 万用表:NG样品(NG1、NG2)分别为8.2Ω和29.1Ω,OK样品为无穷大; 漏电流测试仪:NG样品(NG1、NG2)无法充电,OK样品绝缘电阻高达7.977GΩ; 供电测试:3.8V供电下,NG样品(NG1、NG2)漏电流超过50mA(无限流时会更大),OK样品为0mA。 NG样品(NG1、NG2)、OK样品模拟漏电检测结果 解释:P+、P-间确实存在严重漏电,且漏电点就在烧毁位置。 8.Thermal EMMI红外热点定位:热点就在烧毁处 3.8V/4mA注入P+、P-两端,红外热像仪清晰捕捉到NG样品烧毁位置出现红色热点,OK样品无热点。 NG样品、OK样品 Thermal EMMI红外热点定位分析 漏电位置与烧毁位置完全重合,进一步确认漏电是烧毁的直接原因。 9.微观分析+成分分析:氯元素现身,腐蚀是元凶 SEM观察烧毁点局部焦黑,未向四周扩散,符合漏电打火特征。 NG1样品烧毁部位微观分析形貌 EDS成分分析在烧毁点及周边检出Cl(氯)元素,而正常区域无氯。 NG样品成分分析结果 氯在潮湿环境下可生成盐酸(HCl),腐蚀铜皮形成导电通道,导致P+、P-间绝缘下降,最终在电池接入后发生漏电打火烧毁。 切片分析:内层无异常,排除异物刺穿 切片观察显示烧毁仅发生在表层P+、P-铜皮之间,内层铜厚均匀、无空洞、无异物刺穿。 NG样品烧毁位置切片分析形貌 确认烧毁原因为表层腐蚀漏电,而非内层制造缺陷。 根本原因: NG样品PCBA上P+、P-铜皮间烧毁的根本原因是氯元素污染引起的电化学腐蚀,导致铜皮间绝缘下降,在电池接入后形成漏电通道,最终发生打火烧毁。 改进建议: 加强PCB清洗工艺:确保助焊剂残留、手指接触污染等引入的氯离子被彻底清除。 控制生产环境:避免含氯物质(如某些清洗剂、汗液、包装材料)接触PCB。 增加三防漆涂覆:在P+、P-等高压差区域加强绝缘保护。 优化PCB设计:适当增加P+、P-铜皮间距,降低漏电风险。 引入可靠性筛选:如高温高湿老化测试,提前暴露潜在腐蚀漏电隐患。





